Tytuł:

Properties of AlNx thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Stafiniak, Andrzej ; Muszyńska, Donata ; Szyszka, Adam ; Paszkiewicz, Bogdan ; Ptasiński, Konrad ; Patela, Sergiusz ; Paszkiewicz, Regina ; Tłaczała, Marek

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; aluminum nitride (AlN) ; thin films ; reactive magnetron sputtering ; alternative dielectrics

Opis:

Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4, s. 717-722

Abstrakt:

In this paper, the results of investigation of the influence of cathode current on optical and dielectric AlNx thin-film properties are presented. AlNx films were prepared by pulsed DC reactive magnetron sputtering of Al target on substrates at room temperature. For characterization of fabricated test structures C-V spectroscopy, ellipsometry measurement and atomic force microscopy (AFM) were used.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2009

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009 ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska