Struktura obiektu
Tytuł:

Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Jung, Wojciech ; Misiuk, Andrzej ; Londos, Charalambos A. ; Yang, Deren ; Antonova, Irina V. ; Prujszczyk, Marek

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; germanium-doped silicon ; neutron-irradiated silicon ; defects

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 393-398

Abstrakt:

The effect of annealing at 720–920 K under enhanced pressure (up to 1.1 GPa) in argon ambient on electrical properties of the surface layer of the Czochralski-grown silicon (Cz-Si) subjected to neutron irradiation (doses of up to 1×1017 cm–2, E = 5 MeV) or germanium doping (doping level 7×1017 cm–3) was investigated by electrical C-V, I-V and admittance method. The stress-induced decrease in electron concentration was observed in both p- and n-type samples after neutron irradiation and annealing under a pressure of 1.1 GPa at 720 K for 10 hours, while in the germanium doped samples an ascending dependence of the creation of thermal donors and lack of dependence of new donors on hydrostatic pressure was observed. The effects observed can be explained as resulting, among others, from the irradiation-induced defects (generation of thermal acceptors) and pressure stimulated creation of thermal donors in germanium-doped silicon.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

×

Cytowanie

Styl cytowania: