Obiekt

Autor:

Rakowski, R. ; Bartnik, A. ; Fiedorowicz, H. ; Jarocki, R. ; Kostecki, J. ; Krzywiński, J. ; Mikołajczyk, J. ; Pina, L. ; Ryc, L. ; Szczurek, M. ; Ticha, H. ; Wachulak, P.

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 4, s. 593-600

Abstrakt:

In this paper an application of a recently developed laser plasma source of extreme ultraviolet (EUV) for optical measurements of optical characteristics of Mo/Si multilayer mirrors is presented. The source is based on an xenon-helium double-stream gas puff target irradiated with laser pulses from a Nd : YAG laser system (E = 0.55 J, t = 3.9 ns, f = 10 Hz, M 2 = 2.5). The results show that the source can be useful for EUV lithography technologies as a metrology tool in the semiconductor industry.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2006

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:64425

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006 ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska