Gryglewicz, Jacek ; Stafiniak, Andrzej ; Wośko, Mateusz ; Prażmowska, Joanna ; Paszkiewicz, Bogdan
Optica Applicata, Vol. 43, 2013, nr 1, s. 27-33
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
doi:10.5277/oa130103 ; oai:dbc.wroc.pl:53957
<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 43, 2013 ; Optica Applicata, Vol. 43, 2013, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
16 sty 2019
20 lis 2018
61
59
https://dlibra.kdm.wcss.pl/publication/87642
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures | 16 sty 2019 |
Macherzyński, Wojciech Stafiniak, Andrzej Szyszka, Adam Gryglewicz, Jacek Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Regina Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Wośko, Mateusz Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Regina Tłaczała, Marek Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Hojko, Mikołaj Ryszard Paszuk, Dorota Paszkiewicz, Bogdan Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Wośko, Mateusz Paszkiewicz, Bogdan Piasecki, Tomasz Prażmowska, Joanna Paszkiewicz, Regina Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja
Prażmowska, Joanna Paszkiewicz, Regina Korbutowicz, Ryszard Wośko, Mateusz Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja
Szyszka, Adam Paszkiewicz, Bogdan Wośko, Mateusz Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Wośko, Mateusz Paszkiewicz, Bogdan Radziewicz, Damian Ściana, Beata Paszkiewicz, Regina Tłaczała, Marek Kovac, Jaroslav Vincze, Andrej Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Wośko, Mateusz Paszkiewicz, Bogdan Piasecki, Tomasz Szyszka, Adam Paszkiewicz, Regina Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja