Basta, Marek ; Kuźnicki, Zbigniew T.
Optica Applicata, Vol. 42, 2012, Nr 4, s. 713-724
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
doi:10.5277/oa120403 ; oai:dbc.wroc.pl:55963
<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 42, 2012 ; Optica Applicata, Vol. 42, 2012, Nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
15 sty 2019
30 lis 2018
346
345
https://dlibra.kdm.wcss.pl/publication/91020
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Dielectric functions and optical parameters of heavily doped and/or highly excited Si:P | 15 sty 2019 |
Fitio, Volodymyr Yaremchuk, Iryna Vernyhor, Oleksandr Bobitski, Yaroslav Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Śródka, Wiesław Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Kovacevic, Milan S. Djordjevich, Alexandar Nikezic, Dragoslav Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Mbezi, Michel Teuma Eke, Samuel Som, Idelette Hermine Judith Mouangue, Ruben Martin Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Li, Yi Chu, Xingchun Han, Zhongxiang Tang, Hanling Song, Xinkang Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Todorovic, Jelena Spalevic, Petar Panic, Stefan Abdullah, Majid Hamid Pantelic, Ivan Urbańczyk, Wacław. Redakcja