An, Yu-Peng ; Wang, Yi-Ding ; Cao, Feng
Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1, s. 249-254
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
<sygn. PWr A3481II> ; click here to follow the link ; click here to follow the link
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010 ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Jan 23, 2019
Jan 23, 2019
104
https://dlibra.kdm.wcss.pl/publication/96791
| Edition name | Date |
|---|---|
| Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures | Jan 23, 2019 |
Motyka, Marcin Sęk, Grzegorz Andrzejewski, Janusz Kudrawiec, Robert Misiewicz, Jan Ściana, Beata Radziewicz, Damian Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Goldys, E.M. Drozdowicz-Tomsia, K. Zhu, G. Yu, H. Jinjun, S. Motlan, M. Godlewski, M. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Stefaniak, Tadeusz Gaj, Miron. Redakcja
Dubik, Bogusława Gaj, Miron. Redakcja
Stadnik, Bohumil Gaj, Miron. Redakcja
Borkowska, Alina Wołczak, Bohdan Gaj, Miron. Redakcja