Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Effect of annealing temperature on the morphology of ohmic contact Ti/Al/Ni/Au to n-AlGaN/GaN heterostructures
Pobierz

Tytuł: Effect of annealing temperature on the morphology of ohmic contact Ti/Al/Ni/Au to n-AlGaN/GaN heterostructures

Autor:

Macherzyński, Wojciech ; Stafiniak, Andrzej ; Szyszka, Adam ; Gryglewicz, Jacek ; Paszkiewicz, Bogdan ; Paszkiewicz, Regina ; Tłaczała, Marek

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4, s. 673-679

Abstrakt:

Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures which have low contact resistance and good surface morphology are required for the development of high temperature, high power and high frequency electronic devices. One of the keys to the advancement of such devices is the understanding of ohmic contacts formation to epitaxial aluminium gallium nitride layers. The paper presents the investigation of Ti/Al/Ni/Au based ohmic contact to n-AlGaN/GaN heterostructures grown by LP-MOVPE technique. Multilayer metallization of Ti/Al/Ni/Au with thicknesses of 10/100/40/150 nm, respectively, was evaporated by an electron gun (Ti, Ni) and resistance heater (Al, Au). The contacts were annealed at RTA (rapid thermal annealing) system in nitrogen ambient atmosphere over the temperature range from 775 °C to 850 °C. The time of annealing process was 60 seconds. The morphology of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to n-AlGaN/GaN heterostructures was studied as a function of the annealing process conditions by an optical microscope and AFM (atomic force microscope). Simultaneously, the electrical parameters of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts were studied as a function of the annealing process conditions by the current-voltage (I-V ) method on dedicated test structures. The characteristic resistances of the Ti/Al/Ni/Au/n-AlGaN/GaN ohmic contacts were evaluated from the circular transmission line method (CTLM). The formation and deterioration mechanisms of the ohmic contacts to n-AlGaN/GaN hesterostructures were studied. One of the mechanisms of agglomerates enlargement during the thermal annealing of Ti/Al/Ni/Au metallization has been proposed.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2009

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:62114

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009 ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Temat i słowa kluczowe:

optyka ohmic contacts heterostructure AlGaN/GaN heterostructure Ti/Al/Ni/Au

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

12 mar 2019

Data dodania obiektu:

12 mar 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

146

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dlibra.kdm.wcss.pl/publication/110767

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Effect of annealing temperature on the morphology of ohmic contact Ti/Al/Ni/Au to n-AlGaN/GaN heterostructures 12 mar 2019

Podobne

Optica Applicata
Optica Applicata

Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures

Wośko, Mateusz Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Regina Tłaczała, Marek Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2013
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures

Gryglewicz, Jacek Stafiniak, Andrzej Wośko, Mateusz Prażmowska, Joanna Paszkiewicz, Bogdan Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2013
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Measurements of AlGaN/GaN heterostructures for sensor applications

Hojko, Mikołaj Ryszard Paszuk, Dorota Paszkiewicz, Bogdan Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2013
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Application of AFM technique for creation of patterns in nanoscale

Ramiączek-Krasowska, Maria Szyszka, Adam Stafiniak, Andrzej Paszkiewicz, Regina Paszkiewicz, Bogdan Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2011
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Properties of AlNx thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering

Stafiniak, Andrzej Muszyńska, Donata Szyszka, Adam Paszkiewicz, Bogdan Ptasiński, Konrad Patela, Sergiusz Paszkiewicz, Regina Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures

Macherzyński, Wojciech Indykiewicz, Kornelia Paszkiewicz, Bogdan Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2013
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Optical properties of nominally undoped n-type MOVPE GaN epilayers

Kudrawiec, Robert Misiewicz, Jan Paszkiewicz, Regina Paszkiewicz, Bogdan Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Surface photocurrent nonuniformities in MSM detectors fabricated in gallium nitride heteroepitaxial layers

Szyszka, Adam Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Regina Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Politechnika Wrocławska (Koordynator Konsorcjum DBC)
Biblioteka Politechniki Wrocławskiej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław, Polska

Telefon

(+48) 71-320-38-30
(+48) 71-320-47-50

E-Mail

bc@pwr.edu.pl

Odwiedź nas!

https://biblioteka.pwr.edu.pl/

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji